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新型sic基mosfet器件结构为紧凑型碳化硅基mosfet的元胞、终端和多层复合型栅结构。

需要优化碳化硅基mosfet设计及工艺流程，降低单位面积导通电阻ronsp≤4mohm*cm2，同时提高产品生产成品率达90%;（）提高栅源间耐负压的能力bvgs达到-10v，配合国产衬底及外延材料的验证，实现器件材料用国产化;进一步改进硅基功率mosfet的高温漏电的特性，使产品达到工业级标准。